第三代半导体 碳化硅（SiC）赛道大爆发 中国企业抢占先机 核心概念股

碳化硅SIC是一种第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

碳化硅等第三代半导体是功率半导体的一个投资重点方向。《中国制造2025》中四次提到碳化硅为代表的第三代半导体，国家大基金也把碳化硅列为了重点投资方向之一。从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。

天域半导体：中国SiC领域的领头羊

天域半导体，自2009年成立以来，一直专注于碳化硅（SiC）外延晶片的市场营销、研发和制造。作为中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业，天域半导体成功获得了汽车质量认证（IATF 16949），这标志着公司在碳化硅领域取得了重要突破。

深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）的加入，使天域半导体的注册资本从9027.0589万元增至9770.4638万元，增幅超过8%。这一变化进一步增强了公司的研发实力和市场竞争力。

天岳先进：华为间接投资，国内领先

天岳先进是山东天岳先进材料科技有限公司的子公司，主要生产半绝缘型和导电型碳化硅衬底。该公司已经实现了从2英寸到8英寸产品的全覆盖，成为了国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商。

天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底产品已经实现了我国核心战略材料的自主可控，并且已经批量供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户。此外，公司的产品也被国外知名的半导体公司使用。

天富能源：积极布局SiC领域

天富能源在2020年参与了北京天科合达半导体股份有限公司的增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度。目前，公司已经持有北京天科合达半导体股份有限公司9.09%的股份，成为了该公司的第二大股东。

民德电子：全产业链布局的先行者

民德电子参股的浙江晶睿电子科技有限公司专注于6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售。同时，民德电子还在碳化硅领域进行了投资布局，包括外延生产、晶圆代工、超薄背道代工和芯片设计等关键环节。这种全产业链布局将使公司在未来的竞争中处于有利地位。

宇环数控：碳化硅设备研发的新进展

宇环数控在碳化硅领域也有所动作，其碳化硅设备可以参与到碳化硅材料加工的晶锭端面磨削和晶锭外圆磨削等关键工序中。目前已经有部分样机推出，正在进行打样测试。

甘化科工：SiC功率器件领域的后起之秀

甘化科工参股的苏州锴威特半导体股份有限公司是一家专注于功率半导体的设计、研发和销售的公司。其主要产品包括功率器件和功率IC两大类。特别是在SiC功率器件领域，锴威特已经实现了从研发到量产的跨越，并且计划在科创板上市，募资建设智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目等。这些项目的建设将进一步推动公司在SiC功率器件领域的发展。

三安光电：碳化硅产业链的领导者

作为碳化硅产业链垂直整合制造平台，三安光电在8英寸碳化硅衬底方面已经实现了小批量试制。通过IDM模式的一体化布局，三安光电在碳化硅二极管领域取得了突破性进展，已经进入了量产阶段。超过60种产品已经实现了稳定供货，赢得了众多客户的信赖。

露笑科技：碳化硅领域的黑马

露笑科技通过引进资深科研团队，积极布局碳化硅衬底业务。公司控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司正在承担这项业务。随着公司在碳化硅领域的持续投入和市场需求的不断增长，露笑科技有望在未来成为碳化硅领域的领导者。

东尼电子：切入碳化硅衬底业务的先行者

东尼电子通过募投项目切入碳化硅衬底业务。2021年11月，公司以“年产12万片碳化硅半导体材料项目”为募投项目的非公开发行股票发行完成，其中募集资金3.3亿元将投资于该项目。预计将于2023年11月达产。目前公司已拿到碳化硅下游优质外延片生产厂商的来料、成品等检测结果，反馈良好。东尼电子在碳化硅衬底领域的投资将为公司未来的发展提供强大的动力。

斯达半导：布局宽禁带功率半导体器件的领导者

斯达半导在自主芯片的车规级SiC MOSFET模块方面取得了重大突破，已经在主电机控制器上完成验证并开始小批量出货。此外，多个SiC-MOSFET模块项目定点也证明了公司在宽禁带功率半导体器件

士兰微：士兰明镓启动SiC功率器件生产线，助力电动汽车和新能源市场发展

士兰微在化合物半导体领域又有大动作。公司公告称，士兰明镓将启动SiC功率器件生产线建设项目，建设一条6寸SiC功率器件芯片生产线，主要产品为SiC MOSFET和SiC SBD。这一项目是实现士兰微在电动汽车和新能源市场整体战略布局的重要一环，将有助于推动公司在这些领域的进一步发展。

晶盛机电：碳化硅衬底片研发取得突破，6英寸衬底片已通过验证并批量出货

晶盛机电在碳化硅衬底片的研发和生产方面取得了重要突破。公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，其中6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片也处于小批量试制阶段。这一成果表明晶盛机电在碳化硅衬底片领域的技术实力和市场竞争力不断提升。

扬杰科技：碳化硅系列产品得到多领域客户认可，厂房建设封顶预计2024年通线量

扬杰科技在互动平台上表示，公司持续增强对第三代半导体的研发力度，其中碳化硅系列二极管、MOSFET等系列产品均已经得到多领域国内top客户认可，并实现批量出货。此外，公司碳化硅晶圆项目厂房建设已经封顶，设备已在陆续进场中，相关产品研发也在持续推进，预计2024年可通线量。这一消息对于扬杰科技来说无疑是一个积极的信号，表明公司在碳化硅领域的布局正在逐步实现。